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工藝微縮下的ESD挑戰(zhàn)，CDM防護成關(guān)鍵?。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點不斷向5nm、3nm邁進，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)日趨精密，靜電放電ESD）問題愈發(fā)嚴(yán)峻。傳統(tǒng)人體放電模型HBM）和機器模型MM）失效占比逐漸降低，而
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